PECVD适用工艺：PECVD满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。

系统性能特点：

PECVD结构形式：1—4管卧式热壁型

PECVD硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)

PECVD温度范围：300～1100°C

PECVD恒温区长度及精度：200mm—1000mm(±1°C／24h)

PECVD淀积薄膜均匀性： 片内±5％ 片间±5％ 批间±5％

PECVD沉积膜厚度：600～1 5000A

PECVD系统极限真空度：优于1Pa

PECVD工作压力范围：20～133Pa闭环控制

PECVD控制方式：工业微机

PECVD送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统

PECVD淀积薄膜分类：Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜

PECVD真空泵：罗茨泵、机械泵

PECVD工艺气路：5路气／管。

VCR接口：40KFIz脉宽调制AE高频电源

装片量：200片／舟

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