LPCVD

适用工艺：用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生长工艺及其掺杂如PSG或BPSG等

产品特点：

◆LPCVD主机为水平三管炉系统构架，独立完成不同的工艺或相同工艺

◆LPCVD工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制

◆LPCVD采用悬臂送片器，操作方便、无摩擦污染等

◆LPCVD关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性

◆LPCVD工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管），流量控制采用进口质量流量计（MFC）

◆LPCVD工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和可靠性

◆LPCVD控温精度高，温区控温稳定性好

◆LPCVD具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能

◆LPCVD高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命

主要技术指标

◆LPCVD工作温度：300～1000°C

◆LPCVD适应硅片尺寸：2～6英寸

◆LPCVD装片数量：30～100片/管

◆LPCVD工艺管数量：1～3管（可选择）

◆LPCVD恒温区长度： 760mm±1°C（热壁式，可形成温度梯度）

◆LPCVD极限真空度： 8.0× 10 -1 Pa（约6.0× 10 -3Torr）

◆LPCVD工作真空度： 10 ～ 1000Pa可调

◆LPCVD淀积膜均匀性：片内≤±5%

◆LPCVD控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）

◆LPCVD气源系统：进口阀管件、自动轨道焊接

◆LPCVD典型工艺（仅供参考）：

①氮化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）

参考工艺类型： 3 NH3+4SiH4 → Si3N4+12H2 ……

②多晶硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）

参考工艺类型： SiH4 → Si+2H2 ……

③ 二氧化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）

参考工艺类型： Si(OC2H5)4 → SiO2+ 4C2H4+2H2O （ DCS/N2O 等） ……

PSG: TEOS-O2 体系， + 磷烷（亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷）

BPSG: 在 PSG 中加入 B2H6 （硼烷）或硼酸三甲酯

---- 薄膜淀积工艺（相应的掺杂 - 仅供参考，具体根据客户的情况作相应的调整）。

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青岛曼什微电子设备制造有限公司